В конце прошлой недели Intel сделала весьма важное объявление: её специалисты процессорный гигант сообщил, что его специалисты успешно разработали самые быстрые в мире P-канальные транзисторы.
Чтобы добиться этого, они встроили P-канальный транзистор в кремниевую подложку на базе так называемого III-V материала. Данное объявление было сделано через blog Innovations@Intel на официальном сайте процессорного гиганта.
Как утверждает Intel, будущие процессоры на базе таких P-канальных транзисторов могут потреблять в 10 раз меньше энергии, а их рабочее напряжение в два раза ниже, чем у процессоров нынешнего поколения. По всей видимости, Intel готова или почти готова внедрить эту технологию в производство, и можно полагать, что не далек тот день, когда начнется серийное производство таких микросхем.